- Ý tưởng về MRAM được khởi nguồn bởi tiến sĩ Arthur Pohm và Jim Daughton lúc đó đang làm việc cho Honeywell (1984), những người đã đưa ý tưởng về một loại bộ nhớ sử dụng hiệu ứng từ điện trở cho phép tạo ra các bộ nhớ với mật độ lưu trữ thông tin cao, truy nhập ngẫu nhiên, và không tự xóa.

- 1995: Hãng Motorola (sau này bị mua lại bởi Freescale) lần đầu tiên phát triển các dự án về MRAM.

- 2003: MRAM 128 kbit lần đầu tiên được giới thiệu với công nghệ quang khắc 180 nm.

- 2004: Infineon giới thiệu mẫu MRAM 16 Mbit sản xuất trên công nghệ quang khắc 180 nm

- 2004: Spintech giới thiệu mẫu MRAM đảo từ nhờ nhiệt.

- 2005: Freescale giới thiệu bộ nhớ MRAM sử dụng lớp tiếp xúc MgO

- 2006: Toshiba giới thiệu MRAM 16 Mbit với tốc độ đọc ghi lên tới 200 MB/s và thời gian ghi là 34 ns.

- 2006: Austin Texas – Freescale giới thiệu ra thị trường MRAM 4 Mbit với giá thành 25$/chip.

- 2007: Hitachi và các nhà khoa học ở Đại học Tohoku (Nhật Bản) giới thiệu sản phẩm STT-MRAM đầu tiên 2 Mbit.

- 2008: Các nhà khoa học Đức giới thiệu MRAM với thời gian ghi 1 ns.

- 2009: Hitachi và các nhà khoa học ở Đại học Tohoku (Nhật Bản) giới thiệu sản phẩm STT-MRAM 32 Mbit.

- 2010: Fujitsu giới thiệu bộ nhớ MRAM mạnh nhất với tính năng vượt trội tới 60% so với bộ nhớ RAM truyền thống tốt nhất.

- 2011: Hãng PTB Technology Transfer (Đức) giới thiệu bộ nhớ MRAM với thời gian đọc ghi giảm xuống tới 500 ps.